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阴影遮挡对光伏组件性能测试结果的影响程度分析

三方检测单位 2022-04-07

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光伏组件的性能测试是评估其发电能力的核心环节,而实际应用中,阴影遮挡(如树叶、电线、鸟粪等造成的局部光强损失)是最常见的干扰因素。然而,现行测试多基于理想均匀光照场景,对遮挡的影响缺乏系统量化——小至1%的遮挡面积可能引发远超预期的效率衰减,不同遮挡位置、类型及时长的组合更可能导致测试结果与实际性能严重偏离。本文将从遮挡的物理机制、场景差异及组件特性出发,逐层拆解其对测试结果的影响程度,为优化测试方法提供实际参考。

阴影遮挡的类型与电流电压的直接关联

阴影的形态直接决定组件内部的电流分布:部分遮挡(如单块电池片被覆盖1/3)会让该电池从“发电单元”变为“负载”,未被遮挡部分的电流反向流经遮挡区域,此时短路电流(Isc)随遮挡面积线性下降,但开路电压(Voc)仅小幅降低(≤5%)——Voc由串联电池的电压总和决定,单块电池的损失有限。

线性遮挡(如电线投影覆盖纵向区域)更具破坏性:若组件为12串串联设计,线性遮挡会截断某一串的电流路径,总电流由最小串决定——遮挡2串时,Isc可能下降15%~20%,但实际降幅常达30%,因未被遮挡串的电流会触发旁路二极管,其0.3~0.5V的导通电压会额外消耗电压,拉低Voc。

离散遮挡(如多个直径2cm的鸟粪斑点)的影响更隐蔽:多个小遮挡点会分散光强,加剧电池片间的电流差异。某实验室测试显示,10个离散小遮挡点(总覆盖5%)的组件,峰值功率(Pmax)衰减12%,远高于同面积单一遮挡的8%——离散遮挡会增加内部损耗,拉低填充因子(FF)。

复合遮挡(如树叶的叶柄线性遮挡+叶片离散遮挡)的影响是叠加而非相加:线性部分导致串级电流下降,离散部分加剧电流不均,最终Pmax衰减率比单一类型高1.5~2倍。

遮挡位置对测试结果的非线性影响

组件中心区域的遮挡比边缘更严重:以10串×6片的60片组件为例,中心2串的电流贡献占总电流25%~30%,遮挡中心1串,Isc下降20%~25%;遮挡边缘1串,仅下降10%~15%——边缘串的旁路二极管更易启动(触发条件为串电压≤-0.5V),分流效果更好。

中心遮挡还可能导致旁路二极管失效:多数组件采用“2串1管”设计,遮挡中心2串时,二极管需承受双倍反向电流,易过载无法完全导通,遮挡区域的反向电压升至10~15V,温度骤升(≥80℃),进一步降低载流子迁移率,形成“电流下降-温度升高”的恶性循环。测试显示,中心2串遮挡的组件,IV曲线拐点向低电压偏移20%,Pmax读数比实际低15%。

边缘遮挡的优势在于热扩散:边缘电池片接近铝框,热量易散出,非阴影区域温度≤60℃;中心遮挡时,非阴影区域电流集中,温度达70~75℃,Voc因温度升高额外下降0.5V,衰减率是边缘的2倍以上。

对角线遮挡(如左上角到右下角覆盖5串边缘)的影响更轻:即使总覆盖面积与中心相同(20%),Isc仅下降12%——遮挡分散在多串,每个串的损失小,旁路二极管能有效分流。

遮挡面积与性能衰减的非线性关系

遮挡面积与衰减的关系呈“加速度”:≤5%面积时,Pmax衰减率为面积的1.5~2倍(3%面积对应5%衰减);5%~15%时,为2~3倍(10%面积对应25%衰减);>15%时,达3~5倍(20%面积对应70%衰减)。这种变化源于“串级失效”:

≤5%面积时,仅少数电池受影响,旁路二极管未启动;5%~15%时,遮挡覆盖1~2串,二极管启动但分流能力有限(仅承载1~1.5倍额定电流),若电流超过承载能力,二极管发热失效,遮挡串完全断开;>15%时,3串以上被遮挡,电流路径严重截断,Isc降至额定值30%以下,Voc骤降20%~30%。

某PERC组件的测试数据印证了这一点:1%面积遮挡,Pmax衰减2%;5%衰减12%;10%衰减30%;15%衰减55%;20%衰减80%。当面积>10%,IV曲线会出现“双拐点”——测试设备可能误判最大功率点,进一步放大偏差。

需区分“光学遮挡面积”与“物理面积”:透明遮挡(如薄塑料膜)10%面积,光强衰减30%,Pmax衰减15%;不透明遮挡(如金属片)10%面积,光强衰减100%,Pmax衰减30%——物理面积无法反映真实光强损失。

温度变化对遮挡影响的放大机制

遮挡会引发组件内部温度梯度:非阴影区域因电流集中升温,遮挡区域因无发电电流降温,温差可达20℃以上,进一步加剧测试偏差。

非阴影区域的过热是主要隐患:假设组件串联电阻0.5Ω,未被遮挡串电流从5A升至7A,功率损耗从12.5W增至24.5W,温度升高15~20℃。温度每升10℃,Voc下降20~30mV(60片组件总Voc下降1.2~1.8V)——30℃环境下,10%面积遮挡的Pmax衰减25%;50℃环境下,衰减率增至32%,因非阴影区域温度达70℃,Voc额外下降0.5V。

遮挡区域的低温会加剧反向偏置:遮挡电池温度比非阴影区低10~15℃,反向饱和电流(I0)降低,反向电压更高,热斑风险增加。即使无明显热斑,低温区域的载流子寿命延长,电流“滞后”,IV曲线“拖尾”更严重,FF下降5%~8%。

温度梯度还会干扰设备校准:IV测试仪的温度补偿基于背板平均温度,但遮挡场景下局部温度差异大——背板40℃时,非阴影区域电池温度可能达60℃,测试仪会低估Voc下降,导致Pmax虚高10%。

不同组件类型的抗遮挡能力差异

PERC组件的抗遮挡能力一般:10%面积遮挡时,Pmax衰减30%——背钝化层虽减少复合,但遮挡区域的反向电流仍较高,易引发热斑。

TOPCon组件更优:隧穿氧化层和多晶硅层提供更好的载流子选择性,反向电流仅为PERC的1/3。10%面积遮挡时,Pmax衰减22%,IV曲线双拐点更弱——串联电阻更低,二极管启动更及时。

异质结(HJT)组件最强:非晶硅钝化层的载流子寿命≥10ms,反向电流小;温度系数更低(Voc约-0.25%/℃),非阴影区域升温对Voc影响小。10%面积遮挡时,Pmax衰减仅15%,FF仅下降3%。

钙钛矿组件呈两极分化:≤5%遮挡时,光吸收系数高(≥10⁵cm⁻¹),Pmax衰减10%;>5%时,离子迁移导致缺陷密度增加,反向电流剧增,衰减率>40%,甚至超过PERC。

这种差异意味着,测试中若不区分组件类型,会误判性能——HJT在10%遮挡下的测试结果可能符合标准,但PERC会被判“不合格”,而实际HJT更适合有遮挡的场景。

现行测试标准对遮挡场景的覆盖盲区

现行IEC 61215、UL 1703等标准基于“均匀光照”假设,未覆盖实际局部遮挡:热斑测试要求覆盖90%电池片,而非10%以下的小面积遮挡;低光强测试是整体降低光强,而非局部光强差异。

标准中的旁路二极管测试仅评估导通能力,未考虑动态启动——短时间遮挡(如云层掠过)时,二极管启动时间(1~5ms)慢于遮挡变化(≤1ms),未启动时组件已承受反向偏置,测试无法捕捉这种动态影响。

标准的温度补偿基于平均温度,未考虑梯度——平均温度无法反映局部20℃以上的温差,导致Voc和Pmax偏差≥10%。

标准仅计算峰值功率(Pmax),未评估功率波动——实际中阴影移动会导致功率动态波动,静态IV曲线无法反映,测试结果高估实际发电能力(如静态遮挡下Pmax280W,动态下平均仅220W)。

测试设备对动态遮挡的响应瓶颈

动态遮挡(如云层掠过)的变化速度≤1ms,而多数IV测试仪采样频率仅1~10Hz,无法捕捉电流突变——电流从8A瞬间降至0再回升,测试仪可能只捕捉到“光强1000W/m²”和“0W/m²”两个点,Isc读数比实际高5%~10%。

设备的积分时间(10~100ms)也会限制 accuracy:短时间遮挡时,积分时间内光强变化大,测试仪记录的平均光强无法反映真实电流——如光强从1000→0→1000,持续0.5秒,积分时间50ms会记录平均500W/m²的点,而实际电流是动态变化的。

自动量程功能会放大误差:动态遮挡下电流电压变化大,量程频繁切换(如从“高电流”到“低电流”),导致数据丢失,IV曲线出现断点,FF偏差≥10%。

高端测试仪(采样频率≥100Hz、无量程切换)能解决这个问题——200Hz采样频率可记录0.5秒内100个数据点,IV曲线更清晰,Pmax偏差≤5%,但成本是普通设备的3~5倍,尚未普及。

遮挡时长与光强的交互效应

即使总光量相同,短时间强遮挡与长时间弱遮挡的影响差异显著:短时间强遮挡(光强1000→0→1000,持续0.5秒,总光量500W·s)会引发电流突变,组件金属栅线的电感(1~5μH)产生感应电压(80mV),干扰采样——Isc读数比实际高5%~10%;长时间弱遮挡(光强500W/m²,持续1秒,总光量500W·s)则导致稳态衰减,FF下降3%~5%,Pmax衰减8%,比短时间强遮挡低7个百分点。

短时间强遮挡还会导致二极管误启动:遮挡时间≤0.1秒时,二极管启动时间(1~5ms)慢于电流变化,未启动时组件已承受反向偏置,Isc读数低10%~15%。

间歇遮挡(如树叶摇晃导致阴影频繁切换)的影响更复杂:每一次遮挡时间≤0.1秒,光强变化率≥1000W/m²/s,电流出现振荡(电感效应+二极管延迟),IV曲线噪声大增——采样频率<100Hz的设备无法捕捉,结果偏差≥20%。

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