半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
基础信息
标准号：GB/T 13151-2005发布日期：2005-03-23实施日期：2005-10-01上次复审日期：2023-12-28上次复审结论：继续有效全部代替标准：GB/T 13151-1991标准类别：产品中国标准分类号：K46国际标准分类号：31.080.20 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）
采标情况
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-6-3:1993。采标中文名称:。
相近标准(计划)
GB/T 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范GB/T 6352-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范JB 5838-1991 KP系列1000A以上管壳额定反向阻断三极晶闸管JB 5839-1991 KH系列200A以上管壳额定反向阻断三极高压晶闸管GB/T 6590-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范JB/T 7628-1994 KN系列100A/60A至400A/400A管壳额定逆导三极晶闸管详细规范JB/T 7626-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范
相关服务热线： 如需《GB/T 13151-2005》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。
热门服务
