国标依据

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半导体晶片直径测试方法

Test method for measuring diameter of semiconductor wafer

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 14140-2025发布日期:2025-08-01实施日期:2026-02-01全部代替标准:GB/T 14140-2009,GB/T 30866-2014标准类别:方法中国标准分类号:H17国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

麦斯克电子材料股份有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司浙江海纳半导体股份有限公司上海新昇半导体科技有限公司浙江晶盛机电股份有限公司广东先导微电子科技有限公司深圳德芯微电股份有限公司河南省惠丰金刚石有限公司杭州芯云半导体集团有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司杭州中欣晶圆半导体股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司湖州东尼半导体科技有限公司广东天域半导体股份有限公司青岛华芯晶电科技有限公司浙江材孜科技有限公司杭州朗迅科技股份有限公司

起草人

田素霞陈卫群邵奇郭可饶伟星张海英曹建伟刘薇王明华王志强丁盛峰李素青张亮朱晓彤王江华冯天晏阳肖燕青冯黎明徐振李志凯

相近标准(计划)

GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法20240496-T-469 半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分:边缘卷曲法(ROA)GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法20250813-T-469 半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)20250721-T-609 金刚石多晶片20250748-T-609 金刚石单晶片GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法

相关服务热线: 如需《GB/T 14140-2025》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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微析研究所总部位于北京,拥有数家国内检测、检验(监理)、认证、研发单位,1家欧洲(荷兰)检验、检测、认证机构,以及19家国内分支机构。微析研究所拥有35000+平方米检测实验室,超过2000人的技术服务团队。

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微析研究所是先进材料科学、环境环保、生物医药研发及CMC药学研究、一般消费品质量服务、化妆品研究服务、工业品服务和工程质量保证服务的全球检验检测认证 (TIC)服务提供者。微析研究所提供超过25万种分析方法的组合,为客户实现产品或组织的安全性、合规性、适用性以及持续性的综合检测评价服务。

十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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2500+名专业技术人员

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