半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验

基础信息

标准号：GB/T 45718-2025发布日期：2025-05-30实施日期：2025-09-01标准类别：方法中国标准分类号：L40国际标准分类号：31.080.01 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374-1:2010。采标中文名称:半导体器件 第1部分: 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所广东科信电子有限公司广东汇芯半导体有限公司青岛芯瑞智能控制有限公司吉林华微电子股份有限公司中国电子科技集团公司第二十四研究所上海交通大学电子科技大学

起草人

高汭陈义强冯宇翔雷志锋俞鹏飞来萍纪志罡李治平王铁羊柯佳键方文啸杨晓锋常江罗俊宫玉彬

相近标准(计划)

GB/T 45720-2025 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验20231775-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分：MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法20214733-T-339 压电、介电和静电振荡器的测量技术 第3部分：频率老化的试验方法 DL/T 1994-2019 电容型油纸绝缘设备介电响应试验导则20251130-T-604 固体绝缘材料 介电和电阻特性 第9部分：测定介电特性(AC方法) 相对介电常数和介质损耗因数 绝缘薄膜的接触电极法20213172-T-339 半导体器件 金属化空洞应力试验20214731-T-339 压电、介电和静电振荡器的测量技术 第4部分：短期频率稳定度试验方法20202743-T-339 有质量评定的压电、介电和静电振荡器 第1部分：总规范SJ/T 11457.1.3—2021/IEC 61338-1-3:1999 波导型介电谐振器 第1-3部分：综合性信息和试验条件-微波频段介电谐振器材料复相对介电常数的测量方法SJ/T 11457.1.4—2021/IEC 61338-1-4:2005 波导型介电谐振器 第1-4部分：综合性信息和试验条件-毫米波频段介电谐振器材料复相对介电常数的测量方法

相关服务热线： 如需《GB/T 45718-2025》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。