国标依据

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半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验

Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 45719-2025发布日期:2025-05-30实施日期:2025-09-01标准类别:方法中国标准分类号:L40国际标准分类号:31.080.01 归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62416:2010。采标中文名称:半导体器件 MOS晶体管的热载流子试验。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所国防科技大学中国电子科技集团公司第五十八研究所西安电子科技大学河北北芯半导体科技有限公司

起草人

路国光章晓文杨少华彭超来萍梁斌晋李华林晓玲游海龙肖庆中韦覃如张魁赵文斌

相近标准(计划)

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