半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验

基础信息

标准号：GB/T 45720-2025发布日期：2025-05-30实施日期：2025-09-01标准类别：方法中国标准分类号：L55国际标准分类号：31.080.01 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374:2007。采标中文名称:半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所安徽长麦智能科技有限公司广东汇芯半导体有限公司河北北芯半导体科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司深圳市森美协尔科技有限公司吉林华微电子股份有限公司中国科学院半导体研究所贵州振华风光半导体股份有限公司东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所

起草人

陈义强来萍冯宇翔王力纬陈媛常江裴选张亮旗夏自金刘世文高汭蔡荣敢董显山肖庆中刘岳阳刘岗岗冯军宏迟雷

相近标准(计划)

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