国标依据

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半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验

Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 45721.1-2025发布日期:2025-05-30实施日期:2025-09-01标准类别:方法中国标准分类号:L40国际标准分类号:31.080.01 归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62880-1:2017。采标中文名称:半导体器件应力迁移试验标准第1部分:铜应力迁移试验标准。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所河北北芯半导体科技有限公司杭州飞仕得科技股份有限公司广东气派科技有限公司中国电子科技集团公司第五十八研究所华南理工大学广东工业大学中绍宣标准科技集团有限公司

起草人

黄云肖庆中成立业雷登云黄钦文贾沛李军万永康陈勇崔从俊高汭韦覃如周振威陈思赵海龙姚若河虞勇坚刘东月

相近标准(计划)

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相关服务热线: 如需《GB/T 45721.1-2025》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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